在當(dāng)今快節(jié)奏的科技生活中，隨著便攜式電子設(shè)備已成為我們?nèi)粘２豢苫蛉钡囊徊糠?，這些設(shè)備對鋰電池續(xù)航能力和安全性的要求也越來越高，《便攜式電子產(chǎn)品用鋰離子電池和電池組―安全要求》（GB 31241-2014）中明確強(qiáng)調(diào)了溫度保護(hù)和精準(zhǔn)的過流保護(hù)的重要性。深圳市德微辰芯技術(shù)有限公司立足于最新的市場需求，由原TI技術(shù)專家、現(xiàn)德微辰芯CTO帶隊與晶圓廠共同合作，通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，已成功設(shè)計并量產(chǎn)出兩款能助力電池符合國標(biāo)（GB31241-2022），帶溫度保護(hù)的單節(jié)鋰電池保護(hù)芯片——DV6011（過流精度為±0.5mv，精密電阻檢流型）、DV6205（MOS內(nèi)阻檢流型）。產(chǎn)品可應(yīng)用于智能手機(jī)、數(shù)碼產(chǎn)品、智能穿戴、便攜式設(shè)備等市場。
“集頂尖科技，性能至上"——DV6011（精密電阻檢流型）
核心亮點
1. 高精度高低溫保護(hù)：DV6011特別設(shè)計了精準(zhǔn)的溫度監(jiān)測機(jī)制，可實現(xiàn)高溫充電保護(hù)、高溫充放電保護(hù)、低溫充電保護(hù)、低溫充放電保護(hù)，保護(hù)精度已達(dá)業(yè)內(nèi)頭部水平±3℃。
2. 超高精度的過流檢測：DV6011創(chuàng)新性的開發(fā)一種新型的低電壓檢測技術(shù)，內(nèi)部增加補(bǔ)償電路，使過流精度一直處于±0.5mv范圍內(nèi)（精度較日系競品提升30%），極大降低了LPS等項目設(shè)計難度。低檢測電壓可使用更低的檢流電阻，解決快充的發(fā)熱問題。
3. 超低功耗：DV6011采用業(yè)內(nèi)先進(jìn)的“亞閾值”控制技術(shù)，典型耗電僅為2uA，保證內(nèi)部模塊功能前提下降低耗電，從而減少了整個芯片的功耗，已達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
4. 雙IC方案：DV6011可實現(xiàn)雙IC保護(hù)（主、次保護(hù)）方案，在快速充電過程中更安全、更全面守護(hù)電池安全。
5. ESD防護(hù)強(qiáng)：DV6011通過優(yōu)化ESD泄放管結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了性能與面積的最佳平衡，同時在“ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017”ESD測試標(biāo)準(zhǔn)下，DV6011的HBM模式可達(dá)±4kV（Class 3A），遠(yuǎn)超消費品±2kV的標(biāo)準(zhǔn)，極大降低生產(chǎn)時因ESD損壞的概率，提高產(chǎn)線良率。
6. 外部控制：DV6011提供外部控制引腳CTL，可以通過在CTL上添加不同的信號進(jìn)行充放電控制，極大方便用戶進(jìn)行產(chǎn)品調(diào)試和產(chǎn)品特色設(shè)計（細(xì)節(jié)需查閱最新DV6011規(guī)格書）。
DV6011應(yīng)用線路圖
“DV6011青春版“——DV6205（MOS內(nèi)阻檢流型）
核心亮點
1. DV6025 在保留DV6011高精度高低溫保護(hù)、超低功耗、ESD防護(hù)核心亮點基礎(chǔ)上，根據(jù)客戶需求增加了船運(yùn)控制功能，并通過改良工藝解決了實際生產(chǎn)中常遇到的休眠問題。
2. 船運(yùn)功能：DV6205提供的“船運(yùn)功能”，可有效降低運(yùn)輸中的整體消耗電流，非常利于小容量鋰電池和需長途運(yùn)輸?shù)膽?yīng)用環(huán)境。同時，DV6205 的船運(yùn)功能增加了防誤觸發(fā)的判斷機(jī)制，可以極大概率避免產(chǎn)線生產(chǎn)時誤進(jìn)入船運(yùn)模式的情況。
3. 解決生產(chǎn)問題：DV6205通過在芯片內(nèi)部添加防護(hù)層和優(yōu)化芯片生產(chǎn)制造工藝，極大降低了生產(chǎn)時芯片異常休眠概率，根本上解決了產(chǎn)線生產(chǎn)中因測試、高溫等環(huán)境下產(chǎn)生的過充精度漂移問題。
DV6205應(yīng)用線路圖
名詞解釋：
亞閾值：指MOSFET的一種工作狀態(tài)。我們一直假設(shè)：當(dāng)柵源電壓Vgs下降到低于Vth時器件會突然關(guān)斷。實際上當(dāng)MOSFET的Vgs≈Vth，一個“弱”的反型層仍然存在，并有一些源漏電流①。該種工作狀態(tài)使得MOSFET獲得更大的增益，非常利于低電壓，低功耗的應(yīng)用。
參考文獻(xiàn)
[1]畢查德•拉扎維. 模擬CMOS集成電路設(shè)計[M]. 西安: 西安交通大學(xué)出版社, 2003
